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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-11-25 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的基底用以形成第一晶体管，所述第二区域的基底用以形成第二晶体管，第一晶体管的阈值电压和所述第二晶体管的阈值电压不相等；在第一区域的所述基底上形成第一栅介质结构，所述第一栅介质结构包括：高K介质层；在第二区域的所述基底上形成第二栅介质结构，所述第二栅介质结构包括：高K介质层，所述第二栅介质结构的高K介质层中SiO2的含量与所述第一栅介质结构的高K介质层中SiO2的含量不相等。通过高K栅介质层中的Si

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116852 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202210530919.6 (22)申请日 2022.05.16 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限

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