一种新型锐钛矿型二氧化锗单晶的生长设备.pdfVIP

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  • 2023-11-25 发布于四川
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一种新型锐钛矿型二氧化锗单晶的生长设备.pdf

本发明提供了一种不破坏组件结构的光伏组件短路返修设备,包括气体反应模块、晶体生长模块、氧气储气瓶以及发生器。气体反应模块通过第一加热装置对Ge和GeO2粉末加热在反应腔体中预先生成GeO气体,以气态形式通入晶体生长模块内。晶体生长模块通过第二加热装置加热生长腔体内的衬底,GeO在其中被O2/O3混合气体或O等离子体氧化,在被加热的衬底上外延沉积,生成r‑GeO2单晶。通过在气体反应模块的反应腔体中预先生成气态的GeO,将其导入晶体生长模块的生长腔体中,再被氧化生成r‑GeO2单晶。利用Ge和Ge

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117107346 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202210535049.1 (22)申请日 2022.05.17 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

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