一种面包状多晶硅刻蚀方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约6.81千字
约 9页
2023-11-25 发布于四川
举报
版权申诉

一种面包状多晶硅刻蚀方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开一种面包状多晶硅刻蚀方法，包括如下步骤，S1：在外延片表面生长一层需要被刻蚀材料；S2：涂光刻胶，光刻，光刻形成矩形状的光刻胶图形；S3：将所述S2中完成后的样品送入打胶设备中，进行微量打胶，将打胶后的样品再次送入显影液中浸泡，将样品取出，再将样品放在热板上加热至靠近底边处光刻胶逐渐固化；重复上述显影和加热固化步骤，直至顶端光刻胶完全固化，光刻胶即成面包状；S4：控制刻蚀选择比，刻蚀被刻蚀材料，可将S3中的光刻胶形貌完全投影在所述被刻蚀材料上，最终使被刻蚀材料形成同S3中的光刻胶同貌的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116744 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311099440.2 (22)申请日 2023.08.30 (71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司地