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本发明提供了一种硅片表面金属离子的采集装置及方法，属于半导体制造技术领域。硅片表面金属离子的采集装置包括：进样管道，所述进样管道的一端设置有吸嘴，所述吸嘴能够吸取设定体积的扫描液并将所述扫描液悬挂于所述吸嘴处以收集硅片表面的金属离子，所述进样管道的另一端与溶液腔连通；所述溶液腔，存储所述扫描液以收集硅片表面的金属离子；检测结构，测量所述扫描液中金属离子的含量；驱动机构，驱动所述进样管道在硅片表面移动；设置在所述进样管道上的压力调节器，调整所述进样管道的内部压力。本发明的技术方案能够提高扫描液的回
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117116795 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311099549.6
(22)申请日 2023.08.29
(71)申请人 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
地
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