静电卡盘装置及其集成工艺.pdfVIP

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  • 2023-11-25 发布于四川
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本发明公开了一种静电卡盘装置及其集成工艺,属于半导体晶片加工技术领域,所述静电卡盘装置包括介电层、电极层、绝缘层和金属基体,所述介电层设置在绝缘层的上方,所述电极层通过激光焊接工艺封装在所述介电层和绝缘层之间,所述绝缘层设置在所述金属基体上。本发明的静电卡盘的集成工艺无需经历高温,介电层和电极材料不存在变形,静电力分布均匀,并且集成后的封接强度高、气密性好。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107154375 A (43)申请公布日 2017.09.12 (21)申请号 20161

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