1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构及其形成方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.91万字
  • 约 16页
  • 2023-11-25 发布于四川
  • 举报

半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括芯片区、环绕所述芯片区的密封区、以及位于相邻所述密封区之间的切割道区，所述基底的顶部形成有介电层以及位于所述介电层中的互连结构，所述互连结构包括位于所述密封区的第一互连结构、以及位于所述切割道区的第二互连结构；在所述第一互连结构和第二互连结构之间的部分厚度的所述介电层中形成沟槽，所述沟槽环绕所述密封区。因切割设备对所述第二互连结构产生的拉伸应力而产生的裂纹被所述沟槽所阻断，相应的，也就降低了所述裂纹向所述密封区延伸的概率，从而提高所述密封区

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116906 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202210529979.6 (22)申请日 2022.05.16 (71)申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >