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本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括衬底；第一氮化物半导体层，设置于所述衬底上；第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上并且其一带隙大于所述第一氮化物半导体层的一带隙；栅极电极，设置于所述第二氮化物半导体层上；一场板结构，其部分地覆盖所述栅极电极；及蚀刻停止层，其中所述场板结构设置于所述蚀刻停止层上。本发明提供的半导体装置通过在场板结构下设置的蚀刻停止层，避免因蚀刻工艺在制造通孔过程中损伤到下面的第二氮化物半导体层、第一氮化物半导体层和衬底，保护半导体装置的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117116983 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311334042.4
(22)申请日 2023.10.16
(71)申请人 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
地
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