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本发明属于多孔陶瓷技术领域,具体涉及一种多孔氮化硅陶瓷烧结体的制备方法。本发明将硅烷偶联剂的水解溶液与Si3N4粉体、烧结助剂和造孔剂混合,除溶剂后干法压制,得到的氮化硅生坯进行排胶和烧结,得到多孔氮化硅陶瓷烧结体。本发明通过硅烷偶联剂连接氮化硅粉末和聚甲基丙烯酸甲酯微球,当PMMA微球挥发时,中间层KH‑570可以起到一部分支撑作用,有效防止氮化硅颗粒塌陷到孔隙中。从而达到抑制多孔陶瓷孔隙内部氮化硅团簇异常生长的目的,抑制效果明显。此方法使得每个孔隙都保持着完整的球状结构,因此使多孔氮化硅陶瓷
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117105691 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311080964.7 C04B 35/565 (2006.01)
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