中国功率半导体和第三代半导体发展现状和前景分析.pptxVIP

2 0 2 3 中国功率半导体与第三代半导体 行业发展现状及前景分析云 岫 资 本 合 伙 人 C T O 赵 占 祥W I N S O U L C A P I T A L云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资 |功率半导体是电能转换及电路控制核心， 市场规模大且中国为最大消费国2数据来源：Omdia、云岫资本整理44148146442244248150252217318317717118219119820610002004003005006002017A2018A2019A2020A2021A2022A2023E2024E全球市场规模 中国市场规模半导体集成电路分立器件光电子传感器数字IC模拟IC小信号分立器件功率分立器件信号链IC电源管理IC二极管晶体管晶闸管BJTMOSFETIGBT功率半导体全球及中国功率半导体市场规模（单位：亿美元）2022年全球功率半导体市场规模达481亿美元，预计至2024年将增长 至522亿美元，年复合增长率约为5.46%，增长平稳中国作为全球最大的功率半导体消费国，贡献了约40%的功率半导体 市场国内2022年市场规模为191亿美元，预计至2024年市场规模有望达到206亿美元云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资 |M O S F E T 和I G BT 是全球市场主流应用， 下游需求强劲3MOSFET和IGBT为功率半导体产品主力产品。MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，通常被用于放大电路或 开关电路。IGBT由BJT和MOSFET组合而成且兼具两者优点，即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等。云服务器个人电脑充电器小家电手机电动自行车充电桩LED照明变频器电传动系统新能源汽车轨道交通智能电网光伏逆变器风力发电电焊机电磁炉通 态 电 流MOSFETSJ MOSFETIGBT白色家电8V200V600V1,200V6,500VIGBT41%30%二极管及整流器20%晶闸管 BJT5% 4%数据来源：中金研究所、云岫资本整理电压 各类功率半导体市场规模占比情况（截至2022年H1）MOSFET云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资 |M O S F E T 技术迭代方向： 更高开关频率、更高功率密度及更低功耗4数据来源：东微半导体公告、云岫资本整理材料迭代工艺进步结构改进10μm线宽制程0.15~0.35μm线宽制程功率密度、FOM及开关效率提升硅基SiC、氮化镓开关特性、高温特性改进及功耗降低耐高压易于驱动，工作效 率高芯片面积大，损耗高耐压范围:低压- 100V易于驱动，工作效 率高，热稳定性好，损耗低耐压范围:600V-800V易于驱动，频率超高， 损耗极低兼具高耐压、 低电阻，最新一代功率器件耐压范围:中低压-200V打破了硅限，大幅降 低导通电阻和开关损耗新的沟槽金属氧化物 半导体器件工艺云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云云岫资本云岫资本云岫资本云岫资本云岫资 |M O S F E T 市场规模保持增长， 海外厂商占据市场主导， 国产化率快速提升5数据来源：Omdia、英飞凌、云岫资本整理MOSFET行业国内市场规模（亿美元）MOSFET行业全球市场规模（亿美元）MOSFET行业全球竞争格局76.384.7113.2129.6133.9141.5150.5160.6040801201602