（芯片设计）光刻与刻蚀工艺.pdfVIP

第八章 光刻与刻蚀工艺 光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上 光刻胶薄层，经过光 、显影，在光刻胶上留下掩模版的图 形。 在集成电路制造中，利用光刻胶图形作为保护膜，对选 定区域进行刻蚀，或进行离子注入，形成器件和电路结构。 随着集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断 减小，期望进一步缩小光刻图形的尺寸。 目前已经开始采用线宽为0.2-0.1μm 的加工技术。 1 第 1 页 共 111 页 ULSI 中对光刻的基本要求 ①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光 刻具有高分辨率。 ②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光 刻胶灵敏度提高，曝光时间短，但往往使光刻胶的其他属性变差。 ③低缺陷。在集成电路芯片的加工进程中，如果在器件上产生一个缺陷， 即使缺陷的尺寸小于图形的线宽，也可能会使整个芯片失效。 ④精 的套刻对准。集成电路