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第三章 晶体生长 ;§ 3-1 晶体生长理论根底 热力学认为：晶体生长是一个动态过程。是从非平衡态向平衡态过渡的过程。; 晶体生长方式可分三大类： 〔1〕固相生长：固-固相转变。如：石墨 ———— 金刚石 ?-Fe(体心立方) ———? -Fe〔面心立方〕 相变又称多形转变或同素异形转变。 “图形外延〞: 激光照射下完成微晶硅向单晶硅薄膜转变。 〔2〕液相生长：〔i〕溶液中生长；〔2〕熔体中生长。 溶液生长历史很久，生长的晶体种类很多。 如：盐水溶液结晶为食盐；液相外延。 锗、硅与砷化镓等体单晶生长是从熔体中生长晶体。 ;〔3〕气相生长：气相向晶体转变。 如：气体凝华，化学气相沉积〔CVD〕。 水汽凝结成冰；SiCl4氢复原生长Si单晶外延层。 人工制备晶体领域中： 固－固很少使用； 液－固过程是制备单晶锭的重要工艺； 汽－固过程在工艺上能很好控制，是制备单晶薄膜的主要方法。; § 3-1-1 晶体形成的热力学条件 1.气-固相转变过程 相变过程中，每摩尔物质自由能改变量为 ;单个原子〔或分子〕体积为Vm，单位体积的自由能变化为; 2.液-固相转变过程 〔1〕溶液中生长。 溶液近似于理想溶液，一定温度T、压力P时，溶质i 浓度为C1时的化学势为;固-液两相平衡时，固相的化学势 应与其平衡的饱和溶液的化学势相等，有;〔2〕