霍尔效应测量磁场实验报告.docxVIP

【实验题目】通过霍尔效应测量磁场 【实验目的】 1、了解霍尔效应原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 2、学习用“对称测量法”消除付效应影响。 3、根据霍尔电压判断霍尔元件载流子类型，计算载流子的浓度和迁移速度， 【实验仪器】 QS-H 霍尔效应组合仪 【实验原理】 1、通过霍尔效应测量磁场 霍尔效应装置如图 2.3.1-1 和图 2.3.1-2 所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B 的方向沿 z 轴方向)，当沿 y 方向的电极 A、A 上施加电流 I 时，薄片内定向移动的载流子(设 平均速率为v )受到洛伦兹力 F B 的作用， F ? qvB (1) B 无论载流子是负电荷还是正电荷，F B 的方向均 沿着 x 方向，在磁力的作用下，载流子发生偏移， 产生电荷积累，从而在薄片 B、B 两侧产生一个电 位差V H ,形成一个电场 E。电场使载流子又受到一 个与 FB 方向相反的电场力F ， E F ? qE ? qVH E b (2) 其中 b 为薄片宽度， F E 随着电荷累积而增大，当 达到稳定状态时 F E ? F ，即 B qvB qvB ? H b (3) 这时在 B、B 两侧建立的电场称为霍尔电场，相应的电压V H  称为霍尔电压，电极 B、B 称 为霍尔电极。 另一方面，射载流子浓度为 n,薄片厚度为 d，则电流 强度I 与v 的关系为：