硅的基本性质.docxVIP

硅的基本性质 硅属元素周期表第三周期Ⅳ A族，原子序数 l4 ，原子量 28 ． 085 。硅原子的电子排布为1s22s22p63s23p2，原子价主要为4价，其次为2价，因而硅的化合物有二价化合物和四价化合物， 四价化合物比较稳定。地球上硅的丰度为25．8％。硅在自然界的同位素及其所占的比例分别为： 28Si为92．23％，29Si为4．67％，30Si为3．10％。硅晶体中原子以共价键结合，并具有正四面体晶体学 特征。在常压下，硅晶体具有金刚石型结构，晶格常数a=0．5430nm，加压至l5GPa，则变为面心 立方型，a=0．6636nm。 硅是最重要的元素半导体，是电子工业的基础材料，它的许多重要的物理化学性质，如表1．1 所示。 性 质符号单位硅(Si)表1．1 硅的物理化学性质(300K) 性 质 符号 单位 硅(Si) 原子序数 Z 14 原子量或分子量 M 28.085 原子密度或分子密度 个／cm3① 5.00×1022 晶体结构 金刚石型 品格常数 a A 5.43 熔 点 Tm ℃ 1420 熔化热 L kJ／g 1.8 蒸发热 kJ／g 16(熔点) 比热 cP J／(g·K) 0.7 热导率(固／液) K W／(m·K) 150(300K)／46.84(熔点) 线胀系数 1／K 2.6×10-6 沸点 ℃ 2355 密度(固／液) ρ g／cm3 2.329／2.533 临界温度 Tc ℃ 4886 临界压强 Pc MPa 53.6 硬度(摩氏／努氏) 6.5／950 弹性常数 N／cm C11：16.704×106 C12：6.523 ×106 C44：7.957×106 表面张力 γ mN／m 736(熔点) 延展性 脆性 折射率 n 3.87 体积压缩系数 m2／N 0.98×l0-11 ①本书中关于分子、原子、离子密度、浓度的单位简写为cm-3或cm-2。 1 性 质 符号 单位 续表 硅(Si) 磁化率 德拜温度 χ θD 厘米-克-秒电磁制 K -0.13×10-6 650 介电常数 ε0 11.9 本征载流子浓度ni 本征载流子浓度 ni 个／cm3 本征电阻率 ρi Ω·cm 电子迁移率 μn cm2／(V· s) 空穴迁移率 μp cm2／(V· s) 2.3×l05 1350 480 m = 0.92m ﹡⊥ 0n﹡‖ ﹡⊥ 0 电子有效质量 mn﹡ g mn = 0.19m (1.26K) mh﹡p = 0.59m0 0空穴有效质量 mp﹡ g 0 ml﹡p = 0.16m (4K) 电子扩散系数 空穴扩散系数 禁带宽度(25℃) 导带有效态密度价带有效态密度 器件最高工作温度 Dn Dp Eg(△We) Nc Nv cm2／s cm2／s eV cm-3 cm-3 ℃ 34.6 12.3 1.11 2.8×1019 1.04×1019 250 硅的基本物理和化学性质 硅的电学性质 半导体材料的电学性质有两个十分突出的特点， 一是导电性介于导体和绝缘体之间，其电阻率约在10-4～1010Ω·cm范围内；二是电导率和导电型号对杂质和外界因素(光、热、磁等)高度敏感。无缺陷半导体的导电性很差，称为本征半导体。当掺入极微量的电活性杂质，其电导率将会显 著增加，例如，向硅中掺入亿分之一的硼，其电阻率就降为原来的千分之一。当硅中掺杂以施 主杂质(v 族元素：磷、砷、锑等)为主时，以电子导电为主，成为 N型硅；当硅中掺杂以受主杂质(Ⅲ族元素：硼、铝、镓等 )为主时，以空穴导电为主，成为 P型硅。硅中 P型和N型之间的界面形成PN结，它是半导体器件的基本结构和工作基础。 硅和锗作为元素半导体，没有化合物半导体那样的化学计量比问题和多组元提纯的复杂性， 因此在工艺上比较容易获得高纯度和高完整性的 Si、Ge单晶。硅的禁带宽度比锗大，所以相对于锗器件而言硅器件的结漏电流比较小，工作温度比较高 (250℃)(锗器件只能在150℃以下工作)。此外，地球上硅的存量十分丰富，比锗的丰度(4×10-4％)多得多。所以，硅材料的原料供给可以说是取之 2 不尽的。60年代开始人们对硅作了大量的研究开发，在电子工业中，硅逐渐取代了锗，占据了主要的地位。自1958年发明半导体集成电路以来，硅的需求量逐年增大，质量也相应提高。现在，半导体硅已成为生产规模最大、单晶直径最大、生产工艺最完善的半导体材料，它是固态 电子学及相关的信息技术的重要基础。 但硅也存在不足之处，硅的电子迁移率比锗小，尤其比 GaAs小。所以，简单的硅器件在高频下工作时其性能不如锗或 GaAs高频器件。此外， GaAs等化合物半导体是直接禁带材料，光发射效率高，是光电子器件的重要材料，而硅是间接禁带材料，由于光发射效率很低，