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- 2023-11-29 发布于四川
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本实用新型提供了一种基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构,包括基板、局部互联桥和芯片,所述基板包括基板芯材层、以及位于所述基板芯材层的上方和下方的叠层,所述局部互联桥埋设于上方和下方的所述叠层内,所述局部互联桥与所述基板电性连接,所述局部互联桥设置有横向互连线和纵向互连线,所述横向互连线用于横向连接所述芯片、所述纵向互连线用于纵向连接所述芯片。本实用新型通过局部互联桥以及芯片的双面封装,增加了芯片数量提高了封装集成度和封装密度,避免了只在基板正面嵌埋局部互联桥、封装芯片后引起的翘曲和应力不对称
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220106520 U
(45)授权公告日 2023.11.28
(21)申请号 202321516458.3
(22)申请日 2023.06.14
(73)专利权人 长沙安牧泉智能
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