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半导体存储器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-29 发布于四川
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半导体存储器件及其制造方法.pdf

    公开了一种半导体存储器件，包括：有源图案，在彼此相交的第一方向和第二方向上彼此间隔开，每个有源图案具有中心部分、第一端部和第二端部；位线接触部，设置在中心部分上并且在第一方向和第二方向上彼此间隔开；分离绝缘图案，每个分离绝缘图案设置于在第一方向和第二方向上彼此相邻的位线接触部之间；中间绝缘图案，每个中间绝缘图案设置于在第一方向上彼此相邻的位线接触部与分离绝缘图案之间；以及连接图案，每个连接图案设置于在第二方向上彼此相邻的位线接触部与分离绝缘图案之间。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117135909 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202310175147.3 (22)申请日 2023.02.24 (30)优先权数据 10-2022-0065304

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