原创力文档- 14
- 0
- 约1.34万字
- 约 11页
- 2023-11-29 发布于四川
- 举报
本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其包括：利用氢氟酸清洗硅晶圆的第一清洗工序；利用臭氧水清洗利用所述氢氟酸进行了清洗的所述硅晶圆的第二清洗工序；利用SC1清洗液清洗利用所述臭氧水进行了清洗的所述硅晶圆的第三清洗工序；及利用臭氧水清洗利用所述SC1清洗液进行了清洗的所述硅晶圆的第四清洗工序。由此，提供一种能够在将颗粒品质保持良好的同时，将硅晶圆上的自然氧化膜的膜厚以良好的再现性且高精度地控制在规定范围内的硅晶圆的清洗方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117136428 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202280026918.6 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限
文档评论（0）