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第二章-SRAM工作原理和性能指标 SRAM工作原理与性能指标 SＲAＭ基本结构 SＲAM即静态随机存储器,大多就是由ＣMOS管组成得挥发性静态存储器。在掉电后存储器中所存数据就会丢失。顾名思义，随机静态存储器可以对任何地址进行读写操作,通过锁存器得原理对数据进行保存，在无操作状况下,锁存器处于稳态,保持数据稳定,不用进行周期性得电荷刷新。SRAM由基本单元构成得阵列以及外围电路构成，其中阵列得划分与外围电路得优劣对整个ＳRAM得性能有很大得影响。静态随机存取存储器(简称为静态存储器或ＳRAM)就是随机存储器得一种，它由静态挥发性存储单元组成得存储阵列(或者叫内核,core)组成,其地址译码集成在片内。SRＡM速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。它以双稳态电路形式存储数据,结构复杂，内部需要使用更多得晶体管构成寄存器以保存数据。SRＡM由于靠连续得供电来维持所存数据得完整性,故属于易挥发性存储器。 ＳRＡM电路结构与操作与一般得RAＭ类似，由存储阵列、灵敏放大器、译码器、输入输出电路与时序控制电路五大部分组成。存储单元按行与列排列起来就组成了SRAM得阵列结构，行与列分别称为“字线”与“位线”。每个存储单元对应于一个唯一得地址，或者说行与列得交叉就定义出了地址,而且每一个地址与某一特定得数据输入输出端口就是相连得。一个存储芯片上得阵列（或者自阵列）数目就是由整个存储器得大小、