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- 2023-11-29 发布于四川
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公开了包括晶体管单元的装置和制造晶体管单元的方法。晶体管单元可以包括衬底、有源区域和在有源区域中具有栅极触点的栅极。晶体管单元还可以包括由第一材料形成的栅极触点的间隔物的第一部分和由第二材料形成的栅极触点的间隔物的第二部分。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117136431 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202280026913.3 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所
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