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- 2023-11-29 发布于四川
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本发明属于晶片加工的技术领域，具体为双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置，包括箱体，箱体内升降电机通过同步带与旋转支撑轴连接，旋转支撑轴上连接有连接板，箱体的顶板上密封固定有水槽，水槽内设置有超声振动台，超声振动台支撑在支撑板上，连接板与支撑板通过支撑轴相连；箱体内还设置有旋转电机、减速器，减速器的输出轴的端部和超声振动台连接；在箱体的顶板上还设置有超声振动杆。本发明装置通过双频超声振动可使单晶SiC晶锭应力强度因子下降、断裂韧性降低，超声振动使内部改质层裂纹进一步扩展以达到直接剥离的效果，解决
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117133632 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202311393588.7
(22)申请日 2023.10.26
(71)申请人 西北电子装备技术研究所（中国电
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