提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底.pdfVIP

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  • 2023-11-29 发布于四川
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提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底.pdf

本发明涉及一种提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底。方法包括:将碳化硅供体材料与支撑层进行连接,得到含有碳化硅供体材料层的连接体;对连接体进行边缘倒角,形成供体衬底;在供体衬底的碳化硅供体材料层中预埋弱化层;将供体衬底的碳化硅供体材料层与碳化硅衬底键合,形成键合体;对键合体施加应力,使其沿弱化层断裂,得到由碳化硅膜层与碳化硅衬底构成的碳化硅复合衬底,及剩余供体衬底。制备所得的碳化硅复合衬底碳化硅膜层边缘与碳化硅衬底边缘距离均值小于0.9mm,极差小于0.5mm,有效使用面积大于碳化硅

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117133637 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311397163.3 H01L 29/16 (2006.01)

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