面向氮化镓射频芯片IP化的建模理论与技术.pdfVIP

电子科技大学 UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA 博士学位论文 DOCTORAL DISSERTATION IP 论文题目 面向氮化镓射频芯片 化的 建模理论与技术 学科专业 电磁场与微波技术 学 号 201711020135 作者姓名 毛书漫 指导教师 徐跃杭 教 授 学 院 电子科学与工程学院 万方数据 分类号 TN385 密级 公开 UDC 注 1 621.39 学 位 论 文 IP 面向氮化镓射频芯片 化的 建模理论与技术 （题名和副题名） 毛书漫 （作者姓名） 指导教师 徐跃杭 教 授 电子科技大学 成 都 申请学位级别 博士 学科专业 电磁场与微波技术 2022 1 3 2022 5 20 提交论文日期 年 月 日 论文答辩日期 年 月 日 学位授予单位和日期 电子科技大学 2022年6月 答辩委员会主席 评阅人 注1：注明《国际十进分类法UDC 》的类号。 万方数据 Modeling ofGalliumNitrideRFIPs A Doctoral Dissertation Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Discipline ElectromagneticField and MicrowaveTechnology Student ID 201711020135 Author MaoShuman Supervisor Prof.XuYuehang School SchoolofElectronic ScienceandEngineering 万方