金屬_半導體接觸理論.pptxVIP

場效電晶體FET 電晶體的分類 ■ 主要可分為雙極性接面電晶體與場效應電 晶體兩大類 ， 一般場效電晶體(Field Effect Transistor ， FET)和雙極電晶體一 樣 ， 都具有三隻接腳 ， 不過工作原理卻完 全不同。 ■ 一是逆向偏壓的PN接面 ， 稱為接面場效 電晶體(junction field effect transistor， 稱JFET)。 ■ 另一種是閘極金屬 、絕緣氧化物和半導體 形成類似電容的結構 ， 稱為金屬氧化物半 導體場效應電晶體(金氧半場效電晶體 metal-oxide-semiconductor field effect transistor ， 簡稱MOSFET)。 接面型場效應電晶體JFET之構造 圖(1) N通道JFET結構 圖(5)(a) 圖(5)(b) • 若VDS 繼續增加到使得VGD =VP ， 或寫成 VDS-VGS=VDG=-Vp ， 則靠近汲極端的通道剛好完 全被夾止 ，N形區被分成兩邊 ， 如圖(5) (c)所示。 這時的VDS 記做VDSS 。 圖(5)(c) • VDS 再繼續增加 ， 通道被夾止的長度△L 會略微變大 ， 但和 總長度L 相比幾乎可以忽略 ， 和源極連接的導電通道的長 度及形狀和VDS 關係不大 ， 也就是說導電通道的電阻在這 個操作偏壓範圍是固定的