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一种半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-02 发布于四川
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一种半导体结构及其制备方法.pdf

    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：减薄并刻蚀设置硅通孔结构和标记通孔结构的基板结构背面，露出标记通孔结构，背面沉积第二介质层并于硅通孔结构对应位置设置开口结构，开口结构侧壁设置第三介质层并去除开口结构底面的第一介质层，于开口结构及第二介质层表面一体成型背面金属布线层，对背面金属布线层化学机械抛光使表面平整。本发明通过标记通孔结构高于硅通孔结构的设置实现背面自对准；同时利用背面金属与背面的图形化金属一体成型后平坦化，可节省实现TSV背金属平坦化的工艺步骤，降低生产成本；另外，通过

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117153777 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311126040.6 (22)申请日 2023.09.01 (71)申请人 联合微电子中心有限责任公司 地址

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