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- 2023-12-02 发布于四川
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本发明提供一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质，包括：获取初始光强分布数据；基于所述初始光强分布数据，通过调整散射条的宽度和/或光罩的透光率，以获取对应的中间光强分布数据；基于所述中间光强分布数据，获取对应的目标宽度和目标透光率；将光刻工艺中的所述散射条的宽度调节为所述目标宽度和/或所述光罩的透光率调节为所述目标透光率，完成光刻工艺的仿真处理，以改善光阻凸起的情况。通过本发明公开的一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质，能够改善在光刻工艺中出现光阻凸起的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117148689 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202311433814.X
(22)申请日 2023.11.01
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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