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一种具有六方密排微孔实心衬底结构流量芯片的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-12-02 发布于四川
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一种具有六方密排微孔实心衬底结构流量芯片的制作方法.pdf

    本发明涉及一种具有六方密排微孔实心衬底结构流量芯片的制作方法。本发明包括提供N型双抛硅片；在N型双抛硅片的表面制备一层有序六方密排PS球阵列层；采用反应离子刻蚀对N型双抛硅片表面进行蚀刻，形成衬底空腔，同样，采用反应离子刻蚀对有序六方密排PS球阵列层进行蚀刻，使其PS球的形状从球形变成椭球体，从而得到PS椭球体阵列层；在衬底空腔中填充PS树脂球；在PS椭球体阵列层上覆盖一层六方密排SIO层；在六方密排SIO层上覆盖一层氮化硅支撑层；在氮化硅支撑层表面分别制作MEMS热式流量传感器芯片的上游热电堆

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117156941 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311433904.9 (22)申请日 2023.11.01 (71)申请人 无锡芯感智半导体有限公司 地址

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