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本发明属于电极制备技术领域，公开一种水垢自动脱落的抗结垢电极的制备方法，步骤如下：基底的预处理、活性位点的构建、惰性表面的涂覆和活性位点的强化。与传统结垢后清洗阴极不同，本发明另辟新径，在惰性表面构造一个高度分散的纳米尖端活性位点以实现水垢在电极上的定位、定向生长。活性位点上电解产生的氢气泡会沿惰性表面转移并聚结成气泡层及大气泡，从而阻止表面发生电解和水垢成核过程。因此，只有纳米尖端顶部作为电解水的反应位点和水垢晶体的落脚点。随着水垢的长大，纳米尺度的立足点难以支撑，最终在气泡破裂产生的震动中自
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117142579 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202311192594.6
(22)申请日 2023.09.15
(71)申请人 大连理工大学
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