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一种新型IGBT器件.pdfVIP

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  • 2023-12-02 发布于四川
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一种新型IGBT器件.pdf

    本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种新型IGBT器件。本发明的主要特征在于：在单位元胞上增加了电子陷阱层和N型集电层，改善器件关断损耗与导通电压的折中关系。本发明的有效增益效果为：在单个IGBT元胞中提供了电子通路，在不带来额外开启问题的前提下，降低了关断损耗，提高了器件关断速度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117153876 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311125383.0 (22)申请日 2023.08.31 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731

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