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设备介绍

ICP刻蚀机

用途

通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电使其分解，

产生的具有强化学活性的等离子体在电场加速作用下移动到样品表面，

样品表面既进行化学反应生成挥发气体，

又有一定的物理刻蚀作用。

因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以得到更高的刻蚀速率，更好的各向异性刻蚀。该系统使用了CL基与Br基的刻蚀气体，因此适合于对III-V族化合物材料进行刻蚀。

主要技术指标

ICP

离子源：0-3000W；

RF

射频源：0-600W；

样品尺寸：四英寸向下兼容；

基底刻蚀温度：0-200℃可调；

可刻蚀材料包括：GaN，GaAs，InP，蓝宝石等