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本发明提出了一种单层石墨烯/PI异质结光电突触器件，属于人工智能领域，包括调控沟道，所述调控沟道为单层石墨烯/PI异质结，单层石墨烯/PI异质结上方设有紫外光脉冲和摩擦起电产生的瞬时高压脉冲。本发明的PI衬底不但显示了良好的柔韧性而且具有优异的紫外光吸收能力，通过调控紫外光脉冲可以实现视椎和视杆细胞的超极化行模拟；通过摩擦发电产生的放电脉冲刺激可以实现突触器件的长期兴奋性行为。本发明结合摩擦发电的瞬时高压脉冲和紫外光的双向调控单层石墨烯/PI异质结的突触权重，显著提高了权重更新的线性度，使手写数
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117177583A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311150605.4
(22)申请日2023.09.07
(71)申请人河南大学
地址450046
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