氩离子抛光仪样品制备介绍系列一块体金属.docx

JEOL氩离子抛光仪(CP)样品制备方法介绍系列

系列一：块状金属

作者：

扫描电镜应用工程师陈青山张君颖

产品经理川内一晃

本系列将会以JEOL独有的冷冻空气隔绝型氩离子抛光仪（CCP）为测试机型，详细介绍几种典型样品的制备方法及抛光条件。如有问题请联系JEOL北京事务所应用部：010一.样品的前处理

确认样品材料判断抛光时间?铁（有镀层）?因此刻蚀速率近似于硅（500um/H）

如大于11mm（宽）×10mm（长）×2mm（高）则需要切割至最大尺寸范围之内

将切割好的样品至于自带的HandyLap（或自动机械抛光机）上，将横截面部分的毛刺和样品上表面（和CP中遮光板接触面）抛光。

如样品是均质，则无需使用G2树脂进行包埋保护。如有镀层，则使用G2树脂将镀层面包埋，起到保护作用

二.置样品于样品座（示意图中样品座为CCP样品座）

1.将带有遮光板的样品座（1）放在调节架（2）上

2.将调节架合上，样品座的样品弹簧夹即可打开。

3.将样品插入样品座上弹簧夹内

4.将样品距离调节器（3）夹在遮光板上，是样品待刻蚀的横截面与样品距离调节器紧密结合（这一动作使样品待刻蚀横截面突出遮光板100um左右）

三.置样品座于CP中（示意图中样品座为CCP样品座）

5.将CP放气，打开样品室

6.将样品座置于样品台上

调节样品台的X,Y方