原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件，包括有源区，有源区内包括元胞单元和虚拟元胞单元，虚拟元胞单元在第二导电类型阱区间设有第一类型沟槽，在第一类型沟槽内填充有虚拟屏蔽栅多晶硅、厚氧化层、位于虚拟屏蔽栅多晶硅上部两侧的虚拟栅极多晶硅及虚拟栅氧化层；在第一类型沟槽上依次覆盖有绝缘介质层、源极金属，源极金属通过绝缘介质层内的通孔分别与虚拟屏蔽栅多晶硅、虚拟栅极多晶硅电连接；本发明通过在有源区引入虚拟栅元胞结构，减小了栅极和源极的交叠面积，使得输入电容Ciss和米勒电容
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109065542A
(43)申请公布日
2018.12.21
(21)申请号20181
文档评论（0）