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烧结;烧结(sintering);烧结的物理过程;烧结过程的推动力〔一〕;烧结过程的推动力〔二〕;3.空位差

颗粒外表上的空位浓度与内部的空位浓度之差称空位差，颗粒外表上的空位浓度一般比内部的空位浓度大，二者之差为：

为外表能，为空位体积，ρ为曲率半径，c0为平外表的空位浓度。

这一浓度差导致内部质点向外表扩散，推动质点迁移，加速烧结。;烧结与固相反响的联系;固态烧结;液态烧结;晶粒生长;晶界移动的速率;晶粒长大平均速率;晶粒生长的影响因素;严格控制温度即保温的重要性;二次再结晶;二次再结晶影响因素;2.起始物料颗粒的大小

当由细粉料制成多晶体时，那么二次再结晶的程度取决于起始物料颗粒的大小。

粗的起始的二次再结晶的程度要小得多，如BeO晶粒相对生长率与原始粒度的关系，当起始粒度为2μm时，二次再结晶后晶粒尺寸为60μm，假设起始粒度为10μm，二次再结晶后晶粒尺寸为30μm。

3.工艺因素

从工艺控制考虑，造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高、烧结速率过快；其他原因还有坯体成型压力不均匀、局部有不均匀液相存在等。

为了防止气孔封闭在晶粒内，防止晶粒异常生长，应防止致密化速率太快。在烧结体到一定的体积密度以前，应该用控制温度来抑制晶界移动的速率。;晶粒生长与二次再结晶的区别;防止二次再结晶的方法;影响烧结的因素;2.外加剂的作用

在固相烧结中，少量外加剂〔烧结助剂〕可与主晶相形成固溶体，促进缺陷增加，在也用烧结中外加剂能改变液相的性质〔如黏度、组成等〕，因而都能促进烧结的进行。

①外加剂与烧结主体形成固溶体〔增加了缺陷→促进烧结〕

当外加剂与烧结主体的离子大小、晶格类型、电价数接近时，它们之间可以形成固溶体，致使主晶相晶格畸变，缺陷增加，便于结构基元移动而促进烧结。

一般地说，它们之间形成有限置换型固溶体比连续型固溶体更有助于促进烧结。

外加剂离子的电价和半径与主晶相离子电价半径相差愈大，使晶格畸变程度增加，从而促进烧结的作用也愈显著。

②外加剂与烧结主体形成液相

如果外加剂与烧结主体的某些组成可以生成液相，由于液相中扩散传质阻力小、流动传质速度快，因而促进的烧结—降低了烧结温度，提高了坯体的致密度。;

③外加剂与烧结主体形成化合物

在烧结透明的Al2O3制品时，为抑制二次再结晶、去除晶界上的气孔，一般参加MgO或MgF2。在高温下形成的镁铝尖晶石〔MgAl3O4〕包裹在Al2O3对晶粒外表，从而抑制晶界的移动速率，充分排除晶界上的气孔，对促进坯体的致密化有显著的作用。

④外加剂阻止多晶转变

ZrO2由于有多晶转变，体积变化较大而使烧结发生困难。参加5%CaO后，Ca2+进入晶格置换Zr4+，由于电价不同而生成阴离子缺陷空位固溶体，从而抑制晶型转变，使之致密。

⑤外加剂能扩大烧结温度范围

参加适当的外加剂能扩大烧结温度范围，给工艺控制带来方便。例如，锆钛酸铅材料的烧结温度范围只有20-40℃，如参加适量的La2O3或Nb2O5以后，烧结范围看以扩大到80℃。

必须指出的是：外加剂只有参加量适当时才能促进烧结，如不恰当地选择外加剂或参加过量的外加剂，反而会阻碍烧结。因为过量的外加剂会阻碍烧结相颗粒的直接接触，影响传质过程的进行。;3.烧结温度和保温时间

在晶体中晶格能愈大，离子结合也愈牢固，离子的扩散愈困难，所需烧结温度也就愈高。各种晶体键合情况不同，因此烧结温度也相差很大，即使对同一种晶体烧结温度也不是一个固定的值。

提高烧结温度→→

优点：无论对固相扩散或溶解-沉淀等传质都是有利的；

缺点：单纯提高烧结温度不仅①浪费燃料(很不经济)，②还会促使二次再结晶而使制品性能恶化，③在有液相的烧结中温度过高使液相量增加，黏度下降，使制品变形。

在烧结低温阶段主要以外表扩散为主，在高温阶段以体积扩散为主。如果材料的烧结在低温时间较长，因为外表扩散只能改变气孔形状而不能引起颗粒中心距的逼近，不出现致密化过程，因此不仅不引起致密化反而会因外表扩散改变了气孔的形状而给制品性能带来损害。

因为只有体积扩散才导致坯体致密化，因此从理论上分析，应尽可能快地从低温升高到高温以创造体积扩散的条件。

高温短时间烧结是制造致密陶瓷材料的好方法，但还要结合考虑材料的传热系数、二次再结晶温度、扩散系数等各种因素，合理制定烧结温度。;4.盐类的选择及煅烧条件

在通常条件下，原始配料均以盐类形式参加，经过加热后以氧化物形式发生烧结。

①煅烧条件同一种盐类在不同的煅烧条件下得到的同种氧化物的物理性质不尽相同。例如，Mg(OH)2分解温度与生成的MgO的性质关系：低温下煅烧所得的MgO，其晶格常数较大，结构缺陷较多，随着煅烧温度的升高，结晶性较好，烧结温度相应提高。