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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-12-06 发布于四川
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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述电子阻挡层包括Mn/Zn共掺的AlxInyGa1‑x‑yN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117174797A

    (43)申请公布日2023.12.05

    (21)申请号202311389961.1

    (22)申请日2023.10.25

    (71)申请人江西兆驰半导体有

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