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本发明涉及一种电极结构及存储器，该电极结构包括：第一电极层，设置于磁隧道结的端部；电极连接端子，包括多个连接端子，多个连接端子连接在第一电极层上，且分布在第一电极层的分界线的两侧，分界线为磁隧道结在第一电极层上的正投影的中心沿垂直于电流方向的直线；多个连接端子相对于分界线和/或径向线分布不对称，径向线为磁隧道结在第一电极层上正投影的中心沿电流方向延伸形成的直线；其中，电流经位于磁隧道结一侧的连接端子进入第一电极层，并从位于磁隧道结另一侧的连接端子流出。本发明的电极结构及存储器，制作工艺较简单，不
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117202763A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311461365.X
(22)申请日2023.11.06
(71)申请人致真存储（北京）
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