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- 2023-12-09 发布于四川
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本公开提供一种超分辨光刻中工艺窗口相关的光学邻近效应修正方法，包括：S11，对目标图形进行预处理得到掩模版图数据；S12，对不同工艺条件建立相应的超分辨光刻成像模型；S13，根据掩模版图数据的边界进行模糊处理，得到当前掩模版图数据，并根据当前掩模版图数据构建水平集函数；S14，根据超分辨光刻成像模型和当前掩模版图数据进行正向仿真，得到不同工艺条件下的空间光场强度分布和掩模位置处的正向矢量电场分布；S15，根据空间光场强度分布计算不同工艺条件下的边缘距离误差，并得到边缘距离误差加权平均值；S16，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117192889A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311113953.4
(22)申请日2023.08.31
(71)申请人中国科学院光电技术研究所
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