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本发明公开了一种具有P型埋层的氧化镓晶体管结构及其制备方法，所述晶体管结构包括由下至上依次设置的衬底层、P型埋层、导电层和介质层；P型埋层位于衬底层的顶部，P型埋层和衬底层的上端均贴合导电层的下端；导电层上设有源极、栅极和漏极，源极穿过导电层和介质层与P型埋层相连；漏极穿过介质层与导电层相连；源极和漏极与导电层形成欧姆接触，栅极与介质层形成肖特基接触。通过衬底层和导电层之间设置P型埋层，将栅极靠近漏极边缘聚集的电场重新分布，从而有效提升氧化镓晶体管结构的耐压能力；通过设置衬底层和导电层，提升氧化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117199134A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311128458.0
(22)申请日2023.08.31
(71)申请人南方科技大学
地址518055
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