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2023-12-09 发布于四川
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本发明公开一种UTBB图像传感器，涉及半导体器件及集成电路、图像传感领域；像素间浅槽隔离区包括从埋氧层的顶面的一个端部，向下延伸至衬底的内部，形成的第一隔离区；以及从埋氧层的顶面的另一个端部向下延伸至衬底的内部形成的第二隔离区；电极浅槽隔离区与第二隔离区间隔设置且电极浅槽隔离区从埋氧层的顶面向下延伸至阱的内部，形成的第三隔离区；阱电极在间隔区域；间隔区域为电极浅槽隔离区与第二隔离区之间的区域，且间隔区域内不含有埋氧层；晶体管和源扩展区相连接并设置在埋氧层的顶面；晶体管的一端与电极浅槽隔离区连接；

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117199094A

(43)申请公布日2023.12.08

(21)申请号202311191148.3

(22)申请日2023.09.15

(71)申请人北京大学

地址100871

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