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本发明属于硅基光电子领域，具体涉及一种磁光薄膜介电常数全张量表征方法。本发明基于转移矩阵法和椭圆偏振仪改装，依据转移矩阵法的表征原理，通过椭圆偏振仪测量得到正磁场和负磁场下磁光薄膜的差分Mueller矩阵，依据结构模型和色散模型拟合椭偏参数得到介电常数张量对角线元，通过转移矩阵法参数反演得到介电张量非对角线元。本发明首次结合转移矩阵法和4×4Mueller矩阵，通过椭圆偏振仪在施加磁场条件下的进行非接触性椭偏光谱测量，可以在不破坏晶圆或进行切样处理的条件下，实现了对晶圆级磁光薄膜无损、快速地介电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117192223A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311157092.X
(22)申请日2023.09.08
(71)申请人电子科技大学
地址611731
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