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Si基应变三维CMOS关键技术研究

Si基应变三维CMOS关键技术研究

摘要：随着集成电路技术的不断发展，人们对于更高性能和更小型化的芯片需求也日益增加。三维集成电路技术作为其中一种解决方案，受到了广泛的关注。本文将重点研究基于应变硅（Si）材料的三维CMOS技术，并探讨其中的关键技术。

1.引言

随着集成电路的不断发展，传统的二维尺寸已经无法满足人们对于更高性能和更小型化电子设备的需求。因此，研究人员开始寻求新的解决方案，以提高集成电路的性能和密度。三维集成电路技术被认为是一种具有潜力的解决方案，它可以通过在垂直方向上堆叠多个晶片来实现更高的集成度。其中，应变硅材料