Fe(Cu、Cr)掺杂Ge(Si)基稀磁半导体薄膜的研究的开题报告.docxVIP

Fe(Cu、Cr)掺杂Ge(Si)基稀磁半导体薄膜的研究的开题报告

【摘要】本文研究目的是通过掺杂Fe、Cu、Cr元素，改善Ge、Si基稀磁半导体的磁学性能，以期用于磁存储和磁传感器等领域。本研究采用磁控溅射技术制备Ge、Si基稀磁半导体薄膜，并掺杂不同比例的Fe、Cu、Cr元素，研究其对薄膜磁学性能的影响。研究发现，掺杂Fe、Cr元素可有效提高薄膜的饱和磁化强度和矫顽力，而掺杂Cu元素则会降低磁学性能。本研究对于优化Ge、Si基稀磁半导体薄膜的磁学性能具有重要的意义。

【关键词】稀磁半导体；掺杂；磁学性能；磁控溅射；磁存储；磁传感器

1.研究背景和意义

稀磁半导体由于同时具有磁性和半导体性质，成为了磁存储和磁传感器等领域的重要材料。其中，Ge、Si基稀磁半导体由于具有丰富的磁学性质和优异的半导体性质，成为当前研究的热点之一。但是，Ge、Si基稀磁半导体的磁学性能较弱，需要通过掺杂改善其磁学性质，以满足磁存储和磁传感器等领域对材料性质的要求。

2.研究方法

本研究采用磁控溅射技术制备Ge、Si基稀磁半导体薄膜，并掺杂不同比例的Fe、Cu、Cr元素。通过磁学测试和结构分析等方法，研究掺杂元素对薄膜磁学性能的影响，分析其改善机理。

3.研究预期结果

通过掺杂Fe、Cu、Cr元素，可以有效改善Ge、Si基稀磁半导体薄膜的磁学性能，提高其饱和磁化强度和矫顽力。本研究为优化Ge、Si基