一种消除刻蚀负载效应的方法.pdfVIP

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2023-12-13 发布于四川
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一种消除刻蚀负载效应的方法.pdf

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本申请提供了一种消除刻蚀负载效应的方法，所述方法包括：在所述二氧化硅层将所述第一刻蚀区的第一目标区域刻蚀去除；其中，所述第一目标区域的厚度小于所述二氧化硅层的厚度；在所述二氧化硅层表面涂覆感光材料，并进行曝光和显影，使所述第一刻蚀区的第一目标区域和第二刻蚀区的第二目标区域露出；沿所述第一目标区域的方向将剩余的所述二氧化硅层进行刻蚀，并沿所述第二目标区域的方向将剩余的所述二氧化硅层刻蚀进行刻蚀，得到目标晶圆。本申请通过一次掩膜阻挡第二刻蚀区，先刻蚀第一刻蚀区一定深度再将所有区域露出进行干法刻蚀规避

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117219506A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202311481817.0

(22)申请日2023.11.09

(71)申请人深圳基本半导体有

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