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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-12-13 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括器件区以及位于相邻器件区之间的隔断区，器件区的基底顶部凸立有沟道凸起部，沟道凸起部露出的基底上形成有隔离材料层，隔离材料层覆盖沟道凸起部的侧壁；在隔断区的隔离材料层中形成与沟道凸起部的延伸方向相一致的开口，开口的底部低于沟道凸起部的底部；在开口的侧壁形成隔离侧墙层；在隔离侧墙层露出的开口的剩余空间中形成介电墙；至少去除高于沟道凸起部底部的隔离侧墙层；去除部分厚度的隔离材料层，形成露出沟道凸起部的隔离层；在器件区的隔离层上形成横跨沟道凸起部的器件

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117219581A

    (43)申请公布日2023.12.12

    (21)申请号202210623124.X

    (22)申请日2022.06.02

    (71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限

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