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AlGaN/GaNHEMT空气桥技术研究的开题报告

一、背景和研究意义：

AlGaN/GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）是目前研究和应用最广泛的宽禁带半导体器件之一，具有高速、高功率、优良的高温特性等优点，是高频、功率电子器件领域的重要研究方向。然而，使用AlGaN/GaNHEMT器件存在一个重要的问题，即通道区电子受到氧化、水分子等外界环境因素的影响，导致器件性能下降，影响其可靠性和应用效果。为了解决这个问题，研究人员提出了空气桥技术。

空气桥技术是一种将AlGaN/GaNHEMT器件中的通道区与外界隔离开来的方法，利用高成本的氮化硅材料，在制作过程中将氮化硅材料填充到器件中，形成空气桥。因此，空气桥技术可以有效地隔离通道区与外界环境相互作用的过程，使AlGaN/GaNHEMT器件的性能更加稳定，提高其可靠性和应用实用价值。

二、研究内容和方法：

本次研究拟对空气桥技术进行深入研究，主要研究内容包括：

1、空气桥技术在AlGaN/GaNHEMT器件中的工艺制造；

2、空气桥技术对AlGaN/GaNHEMT器件性能的影响；

3、基于空气桥技术的AlGaN/GaNHEMT器件应用研究。

研究方法主要采用理论与实验相结合，根据已有的AlGaN/GaNHEMT器件制造工艺和空气桥技术的理论分析，对空气桥技术进行优化设计和制造，在实验室中对制造的器件进行测试，分析空气桥