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用于功率半导体器件的双侧冷却嵌入式管芯封装.pdfVIP

用于功率半导体器件的双侧冷却嵌入式管芯封装.pdf

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    公开了用于高电压、高温运行功率半导体开关器件的嵌入式管芯封装，其中，功率半导体管芯嵌入层压主体中，该层压主体包括多个介电层和导电层的层堆栈，并且其中，在封装的一侧上的第一导热垫以及在封装的相对侧上的第二导热垫提供用于双侧冷却。双侧冷却封装的示例性实施方案可基于带有底侧主导热垫和顶侧副导热垫的底侧冷却叠层，或带有顶侧主导热垫和底侧副导热垫的顶侧冷却叠层，使用带有或不带有引线框架的叠层。例如，功率半导体开关器件包括GaN功率晶体管，诸如额定运行电压≥100V或≥600V的GaNHEMT，用于切换几

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117219585A

    (43)申请公布日2023.12.12

    (21)申请号202310439661.3H01L23/31(2006.01)

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