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一种底部分离式碳化硅单晶生长用石墨坩埚.pdfVIP

一种底部分离式碳化硅单晶生长用石墨坩埚.pdf

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    本实用新型公开了一种底部分离式碳化硅单晶生长用石墨坩埚，涉及碳化硅单晶生长技术领域。该底部分离式碳化硅单晶生长用石墨坩埚包括分体式的坩埚本体；坩埚本体包括柱状结构的坩埚壁，且所述坩埚壁沿轴向贯通设置；还包括坩埚座，所述坩埚座上设置有连接结构，用来与坩埚壁配合，坩埚壁与坩埚座可拆卸固定连接。本实用新型的底部分离式碳化硅单晶生长用石墨坩埚采用石墨坩埚壁和石墨坩埚座两段式设计，石墨坩埚壁内部掏出的材料可以继续加工其它石墨零部件，提高了原材料的利用率，石墨坩埚壁被腐蚀严重，优先报废，石墨坩埚座可以继续使

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220183431U

    (45)授权公告日2023.12.15

    (21)申请号202321407413.2

    (22)申请日2023.06.05

    (73)专利权人上海东洋炭素有限公司

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