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一种NBTI效应内联测试结构和测试方法.pdfVIP

一种NBTI效应内联测试结构和测试方法.pdf

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    本发明提供一种NBTI效应内联测试结构和测试方法，所述NBTI效应内联测试结构应用于MOS器件测试，其包括PN结和金属层加热电阻。其中，PN结设置于MOS器件的侧部，且PN结中电流的磁场方向平行于MOS器件的沟道延伸方向；金属层加热电阻设置于PN结和MOS器件的上方，用于对MOS器件进行均匀加热。本发明解决了现有的NBTI测试结构中向多晶硅带施加电流会导致多晶硅带产生磁场影响载流子运动状态以及MOS器件受热不均的问题，提高了NBTI效应测试的测试精度。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117253875A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202311324218.8

    (22)申请日2023.10.12

    (71)申请人上海积塔半导体有限公司

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