基于化学气相沉积法的二硫化钼二维材料及其异质结的制备.docxVIP

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西安交通大学本科毕业设计（论文）

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论文题目：基于化学气相沉积法的二硫化钼二维材料及其异质结的制备

摘要

以二硫化钼（MoS2）为代表的二维层状半导体材料拥有优异的物理、化学性质以及机械性能，这使其在光探测器，激光器等光电子领域具有广阔的应用前景。然而，由于二维MoS2的生长的不可控性，大面积、高质量的MoS2薄膜及其异质结结构的制备是制约其应用发展重要因素。

目前，二维硫化钼的生长工艺有很大的突破，但仍不能实现二维硫化钼的高质量可控生长。本文基于化学气相沉积法，建立了对应的CVD系统，以此系统生长二硫化钼薄膜，并探索其生长规律。首先，本文采用硫化三