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一种半导体高低温耐受性测试方法.pdf

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    本发明公开了一种半导体高低温耐受性测试方法，涉及半导体技术领域，为了解决半导体耐受性检测不便捷以及检测数据不准确的问题。本发明将高温检测数据记录和低温检测数据记录进行聚类处理，可以有效的将高温和低温检测时的不同性能的数据进行分类，并将分类完成的数据的长度进行确认，有效的保证了不同数据对应的不同的数据容量，提高了数据传输时的准确性，根据温度特征相关参数获取温度参数的相关性指数，并确定温度参数相关性指数的时序变化情况，提高了在检测过程中不同时间下的检测数据，并且根据时序变化情况判断温度参数相关信号值

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117250463A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202311235900.X

    (22)申请日2023.09.25

    (71)申请人无锡英诺赛思科技有限公司

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