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2023-12-20 发布于四川
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实施方式的半导体存储装置具备：第1字线，连接于第1存储单元；第2字线，连接于第2存储单元；第3字线，连接于第3存储单元；第4字线，连接于第4存储单元；第1晶体管，电连接于第1字线，具有第1栅极；第2晶体管，电连接于第2字线，具有第2栅极；第3晶体管，电连接于第3字线，具有第3栅极；及第4晶体管，电连接于第4字线，具有第4栅极。第1栅极包含在第1导电层中，第2栅极包含在与第1导电层分开配置的第2导电层中，第3栅极与第4栅极包含在一体连续的第3导电层中。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117255561A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202310134898.0H10B43/20(2023.01)

(22)申请日2023.02.

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