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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-12-20 发布于四川
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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdf

    本发明涉及半导体装置，具备：第1芯片层叠体，所述第1芯片层叠体包括在层叠方向上层叠的多个第1半导体芯片，所述第1芯片层叠体在所述层叠方向上的两端的第1侧和第2侧分别具有第1面和第2面；间隔件，所述间隔件相对于所述第1芯片层叠体位于与所述层叠方向相交的方向，沿所述层叠方向延伸，在所述层叠方向上的两端的所述第1侧和所述第2侧分别具有第3面和第4面；第2半导体芯片和第1树脂层，所述第2半导体芯片和所述第1树脂层跨及所述第1芯片层叠体的所述第2面和所述间隔件的所述第4面而设置，所述第1树脂层位于所述第2

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117253887A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202310674255.5

    (22)申请日2023.06.08

    (30)优先权数据

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